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元件参数资料
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参数目录37186
> NSS1C200LT1G TRANS PNP 100V 3A SOT-23
型号:
NSS1C200LT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS PNP 100V 3A SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NSS1C200LT1G PDF
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
250mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
120 @ 50mA,2V
功率 - 最大
490mW
频率 - 转换
120MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NSS1C200LT1GOSCT
查看NSS1C200LT1G代理商
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